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DDR3最后的漲聲?

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?不久前,有媒體報道三星和 SK 海力士最終將永久關閉各自的 DDR3 生產線,兩家韓國存儲制造商可能在今年下半年停止向市場供應 DDR3 內存。隨后市場傳出DDR3產品漲價的消息。兩家公司做出這一改變的理由并不難理解,AI火熱的當下,相關內存供不應求。為了利潤率,搶占未來十年的市場,存儲巨頭們發力HBM和DDR5等產品也不難理解。

SK海力士的HBM供應在2024年和2025年大部分時間都已售罄,這導致所有HBM(包括HBM2E、HBM3和HBM3E)內存類型的價格明年預計上漲5%至10%。有媒體預測,到2025年,由于強烈的HBM需求,HBM市場份額將增加一倍以上,從2023年的2%增長到2024年的5%,再到2025年的10%。值得一提的是,DDR5內存也受到HBM需求的影響,據報道,其價格將上漲20%,因為前三大存儲制造商將生產重點轉向HBM。至于服務器和個人電腦市場,早就不再使用DDR3了。

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DDR3 真的垂暮了嗎?

DDR3于2007 年首次推出,已經問世17年。相對于 DDR2,DDR3 在邏輯 Bank 數量上,起步為 8 個且為未來 16 個做準備(DDR2 只有 4Bank 和 8Bank 設計)。在封裝方面,引腳增加,有特定封裝規格且必須環保(8bit芯片采用78球FBGA封裝,16bit芯片采用96球FBGA封裝),與 DDR2 的多種封裝規格不同。在突發長度上,預取為 8bit 導致突發傳輸周期固定為 8,還增加新模式且禁止突發中斷操作,比 DDR2 更靈活。在尋址時序上,CL 周期提升且范圍不同,附加延遲設計變化,還新增寫入延遲參數,DDR2 的 CL 范圍與之不同。在新增功能上,具備重置功能可停止操作節約電力,以及新增 ZQ 校準功能自動校驗相關電阻值,這是 DDR2 所沒有的。

對于內存產品來說,迭代就像人類正常的新陳代謝。設計的進步、工藝的突破讓產品的能耗越來越低,傳輸速度越來越快、存儲容量也越來越大。隨著DDR5的登場,DDR3是否真的要和時代說再見了?

網絡通信、電視、監控、機頂盒、工業、智慧家庭等領域,仍是廣泛應用DDR3的場景。據中泰電子數據,2022/2021年,DDR3占DRAM比例為8%/8%,達75/74億美金。

DDR3用戶接口在設計與性能上展現出諸多顯著優勢。相較前代產品,DDR3內存模組在傳輸速率方面實現了大幅提升,從而顯著加快了數據的讀取和寫入速度,有效滿足了多任務處理和大規模數據運算的需求。同時,其低功耗特性顯著降低了計算機系統的能耗,進一步提升了電池續航能力,為移動設備用戶帶來了極大的便利。DDR3內存模塊表現出高度的兼容性,可以適配臺式機、筆記本電腦,服務器、工作站等設備上,確保系統運行的穩定性和可靠性。這一廣泛的兼容性為用戶提供了更自由的選擇空間,無需擔心內存模塊的兼容性問題,從而大大減輕了用戶的困擾。

DDR3報價從2023年9月起陸續走揚,DDR3 4Gb至11月累計漲幅近一成,DDR3 2Gb累計漲幅則有14%。

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2023年年末之際,DDR3相關業者普遍持積極態度,對市況發展充滿信心。鈺創公司認為,隨著庫存的逐步消化,行業已度過循環低谷,逐步邁向復蘇階段。晶豪科公司亦在推進自車規用的利基型存儲產品,以滿足市場的多元化需求。供應鏈透露,隨著產業經過逾一年去庫存,近期終端消費性電子訂單大增,帶動DDR3芯片需求爆發,因應客戶需求,華邦、鈺創向載板協力廠備貨量激增,晶豪科投片量也有上升趨勢,市況回溫以及價格反轉之際,業者都在備貨迎接盛況。

不難發現有相當一部分半導體公司仍在DDR3市場上發力,主要關注的市場仍是物聯網領域。

華邦的DDR3定價在第二季度上漲了約 10%,主要是 2Gb 和 4GbDDR3報價。因此,華邦正全力以赴推進DDR3規格DRAM市場的發展,位于高雄的工廠今年的產能已全面釋放,旨在抓住DDR3價格上漲這一有利的市場機遇。據預測,華邦今年DDR3產品所帶來的DRAM總收入貢獻有望達到五成,從而充分把握轉接訂單所帶來的豐富商業機會。隨著制程技術升級至DDR3階段,該公司已加大對DDR3產能建設的投入力度。高雄工廠引進了先進的20納米設備,產能正逐步釋放,未來有望成為華邦新制程DRAM產品的主要制造基地。

中國大陸市場上,兆易創新也擁有多款DDR3產品。根據公司官網,兆易創新的利基型DDR3L兼容1.5V/1.35V電壓供電,讀寫速率為1866Mbps,最高可達2133Mbps,滿足主流應用需求。兆易創新擁有多款利基型DDR3L產品, 能提供1Gb/2Gb/4Gb容量, x8/x16數據接口,適應0 ~ 95℃ / -40 ~ 95℃ / -40 ~ 105℃ 不同溫度范圍的應用場景。

5月17日,鈺創公司董事長盧超群指出,當前階段,市場正處于復蘇進程之中,尤其在本年度上半年。鈺創公司的其DDR3系列產品已經進入Wi-Fi 6及Wi-Fi 7市場。業界普遍預期,2024年下半年市場活力將顯著增強,預計到2025年,市場將保持持續增長的強勁勢頭,整體DRAM價格有望恢復至疫情前水平。

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DDR4的成熟期來了

正如所有產品一樣,DDR3終究會面臨市場的淘汰。

現實是,雖然DDR3價格開始上漲,但其市場的玩家依舊在做“虧本生意”。南亞科技、華邦電子、精英半導體存儲器科技(ESMT)等中國臺灣存儲器公司在 2024 年第一季度仍處于虧損狀態。不過2024 年Q1的虧損有所收窄,ESMT的虧損(179 萬美元)在環比和同比上都有所收窄。

內存產品每兩到三年就會升級一次。由于全球重要內存供應商主要集中在 DDR5 或 HBM 內存上,利基Dram制造商將在今年從 DDR4 獲得新的發展前景。DDR4 目前正接近上一個DDR3階段的過渡,預計將促進價格和銷量的增長。據相關廠商表示,預計DDR4的出貨量將大幅攀升,芯片平均售價也將大幅攀升。

這意味著DDR4將會接替DDR3現階段所在的利基市場。隨著三星、SK海力士停止生產DDR3,DDR3向 DDR4 的轉變已經開始,據報道中國臺灣內存制造商將從 2024 年開始優先考慮 DDR4 以提高收入。出貨量和平均銷售價格 (ASP) 的結合將有助于他們今年的增長。

一些中國臺灣的內存制造商正在考慮擴大產品范圍并開發 2Gb DDR4 解決方案,以滿足客戶對更低密度和更低成本的需求。中國大陸廠商兆易創新也計劃推出 8Gb DDR4 和 LPDDR4 產品。

03

內存市場下半場

后端廠商對自2024年第二季度起始的內存行業訂單持有樂觀預期。為應對內存價格上揚態勢,內存芯片制造商計劃終止減產措施,并逐步提升產能利用率,以增強盈利能力。關于上游供應增加對整體內存市場的影響,目前尚待進一步觀察。然而,據業內消息人士指出,內存后端企業普遍預計訂單量將有所增長。

市場顯示,在3D NAND領域的訂單增長預期將尤為顯著,而DRAM領域的訂單增長勢頭亦將從第二季度開始顯現。據報道,SK海力士和美光科技已著手提升其產能利用率,特別是針對HBM和DDR5等高端DRAM產品(顯然是受AI帶動的服務器領域增長)。

同時,消息人士稱,第一季度存儲器行業整體的產能利用率已回升至80%以上水平,預計第二季度將進一步升至90%以上。有媒體表示,主要NAND供應商Kioxia亦將結束減產措施,其產能利用率亦將回升至90%以上。

供應鏈制造商的積極備貨正推動著內存市場的持續發展,進而促進了內存后端企業的銷售業績。多家中國臺灣后端公司的業績在2月就出現了增長。茂茂科技2月份綜合銷售額數據顯示,其銷售額達到新臺幣17.8億元(約合5,652萬美元),同比增長23.64%,環比增長4%。ChipMOS亦表示,其在內存領域的銷售額表現強勁,超越了顯示驅動IC(DDI)領域的銷售表現。盡管客戶目前仍主要下達短期訂單,但預計第一季度的銷售額將實現環比增長。力成科技發布的2月份合并銷售額數據顯示,其銷售額為新臺幣58.8億元,環比下降3.86%,但同比增長12.6%。在2024年1至2月期間,其合并銷售額累計達到新臺幣119.9億元,同比增長17.3%。

然而根據閃存市場的數據,最新一周渠道市場內存條最新報價全面下跌,二季度過半,消費類存儲需求持續遇冷。值得注意的是,HBM產品產量的持續增長將會對DRAM產品供應產生擠兌。HBM、DDR與LPDDR5X在制程上存在沖突,當生產相同bit量的產品時,HBM3E所需的晶圓量大約是DDR5的兩至三倍。由于HBM的生產過程還涉及TSV封裝技術,這使得HBM的生產周期較DDR5增加1.5至2個月。

隨著更多產能傾斜至服務器市場,消費類終端可能面臨存儲資源結構性緊缺。在巨大的成本壓力之下,終端廠商可能會通過降低存儲配置來削減成本。2024的下半場,DDR3和DDR4這些老將或許仍有一戰的機會。

       原文標題 : DDR3最后的漲聲?

聲明: 本文由入駐維科號的作者撰寫,觀點僅代表作者本人,不代表OFweek立場。如有侵權或其他問題,請聯系舉報。

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