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反擊”大小姐”美光

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?近日,韓國起訴美光,令人大跌眼鏡。對于美國企業,韓國向來是合作、和平大于爭斗的。

韓國專利管理公司Mimir IP對美國美光科技提起專利侵權訴訟,這是半導體行業發生的重大事件。這是韓國非專利實施實體(NPE)起訴美國半導體公司的第一起案件,該訴訟于 6 月 3 日提起,還針對使用美光產品的公司,包括特斯拉、戴爾、惠普和聯想。該案已提交美國德克薩斯州東區地方法院和美國國際貿易委員會 (ITC)。

眾所周知,SK海力士和美光是內存市場的競爭對手。韓國正式起訴美光,是否意味著半導體霸權之戰正從技術競爭擴大到專利戰。Mimir IP 起訴美光的現狀及其對半導體行業的廣泛影響仍有待觀察。

01

指誰打誰的“大小姐”

美光最近一次引起軒然大波是在中國,然而在7年前美光和中國的“緣分”已經開始了。

美光戰福建晉華

2016年5月,聯電宣布接受晉華委托開發DRAM制程技術,聯電強電僅負責技術開發,并未進入DRAM產業或投資晉華。該合作中,由晉華支付技術報酬金,開發出的DRAM技術成果將由雙方共同擁有。

2016年7月,福建晉華第一座12吋晶圓廠舉行動土儀式。

2017年2月,美光控告聯電違反營業秘密法,稱由美光跳槽到聯電的員工竊取了美光的秘密資料。

2017年12月,美光在美國加州對聯電及晉華提出民事訴訟,控告兩者侵害美光的DRAM專利。美光稱聯電通過美光臺灣地區員工竊取其知識產權,包括DRAM的關鍵技術,并交付福建晉華。

2018年1月,福建晉華和聯電向福州市中級人民法院遞交訴狀,起訴美光公司相關產品侵權,包括美光數款固態硬盤產品存在侵權行為,并要求美光賠償1.96億元人民幣。

2018年10月29日,美國商務部以威脅美國國家安全為由將福建晉華加入到《出口管理條例》的實體名單中,美國公司禁止向其出售軟件、技術和產品。次日,美國芯片設備廠商駐福建晉華人員全部撤出,所有設備裝機、工藝調試全部終止,已下單未出貨的芯片裝備全部暫停出貨。福建晉華廠房被迫暫時停工。

2018年11月,美國司法部起訴福建晉華、中國臺灣聯電,以及陳正坤等3名臺灣人,指控共謀盜竊美光商業機密。福建晉華對此發布聲明稱:晉華集成始終重視知識產權保護工作,不存在竊取其他公司技術的行為。

2021年11月26日,聯電與美光共同發布公告稱,聯華電子與美光科技今日宣布達成全球和解協議,將各自撤回向對方提出的訴訟,聯電將向美光一次支付金額保密的和解金,雙方在聲明中均稱,期待未來達成共同的商業合作機會。

2023年12月24日,美光科技發言人表示,美光已與福建省晉華集成電路有限公司達成全球和解協議,兩家公司將在全球范圍內各自撤銷對對方的起訴,結束雙方之間的所有訴訟。

然而美國最終還是把福建晉華放在了“實體清單”名單中。

02

反抗

哪里有壓迫,哪里就有反抗,橫行霸道久了,與難免“濕鞋”。

長江存儲起訴美光專利侵權

中國芯片龍頭企業長江存儲近日在美國加州北區地方法院起訴美光科技有限公司及全資子公司美光消費產品集團有限責任公司,涉嫌侵犯其8項美國專利。涉案專利涉及3DNAND存儲器件、非易失性存儲裝置、直通陣列接觸(TAC)等技術。長江存儲在專利侵權起訴書中稱,美光未經授權使用了其專利技術,構成了侵權行為。請求法院對美光下達產品永久禁令或向其支付專利授權費。

對于雙方的訴訟官司,長江存儲與美光方面均作出了回應。盡管無法透露具體細節,但長江存儲表示,他們致力于保護自己的知識產權,并相信這起官司會很快得到解決。而美光則對此不予評論。

長江存儲是國內最大的3D NAND Flash(閃存芯片制造)廠商。長江存儲在起訴書中提到,美光使用長江存儲的專利技術,以抵御來自長江存儲的競爭,并獲得和保護市場份額。訴訟旨在解決以下問題的一個方面:美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創新。

對此,有專家認為,按照目前的信息來看,長江存儲幾乎可以贏得這場官司。這充分展示了中國存儲技術的巨大進步,也讓我們看到了中國企業在面對不公平待遇時的勇敢反擊。

美光被判向Netlist賠償4.45億美元

5月,美國德克薩斯州東區地方法院陪審團裁定,美光侵犯了Netlist的兩項涉及內存模塊技術的專利,需要賠償4.45億美元。

根據法院提交的判決書顯示,美光因侵犯7,619,912專利需要賠償4.25 億美元,并因侵犯11,093,417專利需賠償 2000 萬美元。

在文件中,陪審團還表示,他們相信美光公司是故意侵權,這可能使 Netlist 有權要求將賠償總額增加至多三倍。

盡管美光公司的一位發言人表示美光公司不同意陪審團的裁決,但事實勝于雄辯。

韓企也不忍了

6 月 17 日消息,據韓媒 Businesskorea 報道,韓國專利管理企業 Mimir IP 于 6 月 3 日在美向存儲巨頭美光發起訴訟,索賠 4.8 億美元(約 34.92 億元人民幣)。Mimir IP 此前于 5 月從 SK 海力士手中收購了 1500 項半導體專利,本次訴訟涉及電路、電壓測量設備和非易失性存儲設備有關的 6 項專利。

03

四面楚歌:HBM落子太晚

如果說幾次訴訟對美光的沖擊是蜻蜓點水,那技術上的落后是美光面臨的真正威脅。隨著人工智能和高性能計算的飛速發展,對存儲器的性能要求越來越高。在這樣的背景下,高帶寬存儲器(HBM)技術應運而生,成為推動LLM行業快速發展的關鍵力量。目前,HBM市場以約65%的復合年增長率增長,到2026年可達到170億至180億美元。在HBM技術領域,海力士、三星和美光三家公司以其卓越的研發能力和創新精神,成為了這一領域的領頭羊。

SK海力士是HBM先驅、技術最強,最早與 AMD 合作開發,三星緊隨其后。三星和海力士壟斷9成HBM市場,美光份額落后。

美光在 HBM 領域的發展并非一帆風順。由于多種因素的影響,美光傳統上在 HBM 領域處于弱勢地位。美光在前期因為技術誤判在 HMC 技術上投入過多資金,直到 2018 年才從 HMC 轉向 HBM方向。因此,不想錯過末班車的美光跳過了 HBM2,直接于 2020 年進行了 HBM2E 的量產,以后起之秀的身份進入了市場,隨即加速邁過 HBM3 直接在 2023 年進行了 HBM3E 的研發,并在 2024 年 2 月份宣布開始量產 HBM3E,并應用在 SK 海力士的長期合作廠商 NVIDIA 的H200 芯片上,將在今年第二季度為 NVIDIA 供應 HBM3E 8Hi 24GB 的芯片,而 HBM3E 12Hi 36GB則已經在樣本階段了,這兩種型號的帶寬將超過 1.2TB/s。

今年5月底,還傳出了美光的DRAM廠延期的消息。據《電子時報》報道,美光于 2023 年宣布將投資高達 5000 億日元(32 億美元)將 EUV 設備引入廣島。最初的目標是在 2025 年底前在那里開始量產最先進的 DRAM。最新消息表示,該工廠的建設可能會推遲兩年。工廠竣工后,將生產下一代計算機內存技術1-gamma DRAM 。它還將生產用于生成式 AI 的高帶寬內存 (HBM)。

SK 海力士已宣布研發 HBM4,并與臺積電就 HBM4 研發和下一代封裝技術合作簽署諒解備忘錄,計劃從 2026 年開始批量生產 HBM 第六代產品——HBM4。SK 海力士有望采用臺積電的先進邏輯工藝來提高 HBM4 的性能,針對搭載于 HBM 封裝內最底層的基礎裸片進行優化。臺積電此前也表示,將采用 N5 和 N12FFC+工藝制造基礎裸片,為 HBM4 提供更強的性能和能源效率。美光又慢一步。

美光迅速成為韓廠威脅的重要原因之一是其能效優勢。美光宣稱其堆疊的 24GB HBM3E 內存功耗比競品低 30%。在 AI 需求爆發的當下,低功耗技術逐漸成為業界關注的焦點。更節能的 HBM3E 內存可降低系統發熱和用電量,減少散熱需求。

此外,美國渴望擴大半導體自給自足率,在這一大背景下美光獲得了美國政府大量資金支持,得以新建大型存儲晶圓廠。美光的美國身份也使其更容易接觸英特爾和 AMD 這另外兩家 AI 芯片企業,拿下更多的 HBM 訂單。

在產能方面,根據 TrendForce 集邦咨詢今年 3 月的研報,美光在 2023 底的 HBM 產能僅有每月 3000 片 12 英寸晶圓,占到整體市場的 3.2%。到 2024 年底,美光有望實現每月 20000 片晶圓的 HBM 產能,市場占比也大幅提升至 11.4%。

在美光未來產品方面,其單堆棧容量可達 36GB 的 12Hi HBM3E 內存已于 3 月初完成采樣,計劃 2025 年實現大規模量產。展望更遠的 HBM4 世代,美光計劃在 2025 下半年實現 HBM4 內存的開發,HBM4E 的開發完成則落在 2028 年。

美光Plan A失敗,PlanB能重回霸主嗎?時間會給我們答案。

       原文標題 : 反擊”大小姐”美光

聲明: 本文由入駐維科號的作者撰寫,觀點僅代表作者本人,不代表OFweek立場。如有侵權或其他問題,請聯系舉報。

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